新推出的8TB型号预计将提供相似的性能，包括高达560 MB/s的顺序读取速度和高达530 MB/s的写入速度。根据官方数据表，该硬盘继续采用三星的3比特MLC（TLC）V-NAND技术，但升级了8GB LPDDR4 DRAM缓存，功耗略有增加。其耐久性评级也显著提高，最高可达4800TBW（写入太字节），适合重负载工作和长期使用。
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2026年04月02日 11:56:46，更多细节参见有道翻译
CH32V003 — RV32EC core at 48 MHz, 16 KB flash, DIP-8 / SOP package — extremely compact