据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
变化五：竞争格局从“三足鼎立”到“多元博弈”传统存储行业长期由三星、SK 海力士、美光三家主导 DRAM，三星、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士主导 NAND，形成稳定的 “三足鼎立 + 五强割据” 格局，定价权、技术路线、产能节奏高度集中。但 2025—2026 年，随着 AI 需求爆发、先进封装独立成链、本土厂商技术突破，行业正式进入多极竞争的全新博弈阶段。
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